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  三星计划投资40亿美元在中国建设芯片工厂

三星计划投资40亿美元在中国建设芯片工厂

作者:木秀林    文章来源:网易科技报道    点击数:1638    更新时间:2011/12/7    

网易科技讯  12月7日消息,据路透社报道,三星电子周二表示,智能手机和平板电脑市场的迅猛发展,将推动规模达220亿美元的NAND闪存芯片行业继续增长,因此计划在中国投资约40亿美元建设一家闪存芯片工厂。

这家工厂将成为三星第二个海外芯片生产基地。将地点选择在中国,也反映了中国市场的日益重要性。作为全球最大的内存芯片和平板显示器制造商,三星还计划在中国建设一个平板生产基地。

三星内存业务总裁Jun Dong-soo表示,新生产线“将能使我们满足客户快速增长的需求,同时还可加强我们在内存行业的整体竞争力”。该公司表示,预计新生产线将在2013年投入运营。据芯片价格跟踪调查公司DRAMeXchange称,明年全球NAND闪存芯片市场收入将增长20%,达到260亿美元。

Shinhan Investment分析师Kim Young-chan表示:“随着收入水平的上升,中国有望超过美国,成为全球最大的电子产品市场”。为iPhone和iPad提供闪存芯片的三星表示,尚未决定新工厂的投资规模或具体选址。

Kim Young-chan估计,三星将在新工厂投资4万亿-5万亿韩元((约合35-44亿美元))。此举被广泛认为是为了满足中国制造商如华为技术和中兴通讯的需求,后2家公司在全球智能手机和平板电脑市场的份额一直在稳步增长。

三星的新生产线将使用最尖端的20纳米工艺。该公司正积极推进闪存芯片的生产。9月,在韩国投资100亿美元的芯片生产线已开始量产。三星是全球最大的NAND闪存制造商,约占40%的市场份额。与之竞争的包括日本东芝公司、韩国的海力士半导体和美国的美光科技。(

文章录入:jhye    责任编辑:jhye 

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